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      氧化亞硅真空升華爐是用于制備高純氧化亞硅材料，升華爐主要提高氧化亞硅的純度，改變電池負極容量值。

      氧化亞硅真空升華爐應用于半導體硅片的制備，也可應用于氧化亞硅、碳化硅等帶半導體材料的研究與開發(fā)，還可用于微電子器件、光電子器件、光子晶體、生物醫(yī)學工程、納米技術等領域。

      該設備的特點是具有高真空度和加熱控制系統(tǒng)的精確性，能夠實現(xiàn)晶體的高效分離和高質量產品的生產。在氧化亞硅真空升華爐中，可以通過控制加熱溫度和時間、升華室的真空度等因素，實現(xiàn)不同類型和規(guī)格的晶體生產。

      該設備有收集系統(tǒng)、升華系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)六大組成。

      升華系統(tǒng)：由加熱區(qū)和收集區(qū)組成，加熱區(qū)由感應線圈、重質剛玉、石墨硬氈、等靜壓石墨組成；收集區(qū)由310S不銹鋼及保溫層組成
      加熱系統(tǒng)：采用感應加熱，電源采用IGBT節(jié)能型電源，噪音小，比傳統(tǒng)晶閘管電源節(jié)能15%左右

      溫控系統(tǒng)：采用 PLC 觸屏集中控制方式，自動化控制，帶網(wǎng)口，可實現(xiàn)遠程控制
      真空系統(tǒng)：由多級真空泵、真空閥，壓力控制器及管路組成

      冷卻系統(tǒng)：配置閉式冷卻系統(tǒng)，內循環(huán)用去離子水，不會造成設備管路結垢，內循環(huán)水損失小，外循環(huán)用自來水，自動補水，風機自啟動散熱；散熱效果好，集成環(huán)保，占地面積小等特點。